купить RAQ045P01TCR с BYCHPS
Купить с гарантией
RAQ045P01TCR
- Тип продуктов:
- RAQ045P01TCR
- производитель:
- LAPIS Semiconductor
- Описание:
- MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 16325 Pieces
- Техническая спецификация:
- RAQ045P01TCR.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для RAQ045P01TCR, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки RAQ045P01TCR по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | -8V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TSMT6 (SC-95) |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 600mW (Ta) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Другие названия: | RAQ045P01TCRTR |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | RAQ045P01TCR |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 4200pF @ 6V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 40nC @ 4.5V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | P-Channel 12V 4.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 12V |
| Описание: | MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 4.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для RAQ045P01TCR
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 | запрос |
 |
BUK9506-55B,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | запрос |
 |
IXFT20N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 | запрос |
 |
SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 12V SOT23 | запрос |
 |
STB60NF10-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK | запрос |
 |
IXTA2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | запрос |
 |
IXTH220N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 220A TO-247 | запрос |
 |
STD100N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 100V 80A DPAK | запрос |
 |
TPCC8005-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON | запрос |
 |
RAQ045P01MGTCR | Rohm Semiconductor | 1.5V DRIVE PCH MOSFET | запрос |
 |
SUM110N05-06L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK | запрос |
 |
STF4N52K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP | запрос |
 |
RF4E080GNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML | запрос |
|
IRF737LCSTRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK | запрос |
 |
FCD3400N80Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK | запрос |
|
IXTA64N10L2 | IXYS | N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS | запрос |
 |
NVGS5120PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog