купить IRF630NSTRR с BYCHPS
Купить с гарантией
IRF630NSTRR
- Тип продуктов:
- IRF630NSTRR
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Содержит несоответствие свинца / RoHS
- Доступное количество:
- 19323 Pieces
- Техническая спецификация:
- IRF630NSTRR.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IRF630NSTRR, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IRF630NSTRR по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | D2PAK |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 82W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IRF630NSTRR |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 575pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 200V |
| Описание: | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 9.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IRF630NSTRR
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF630NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | запрос |
 |
IRF630NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | запрос |
 |
SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 | запрос |
 |
TJ10S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3 | запрос |
 |
FCH47N60F_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | запрос |
|
IRF630NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | запрос |
|
IRF630NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | запрос |
 |
FQB7N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK | запрос |
|
IRF630NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | запрос |
 |
FDG328P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 | запрос |
 |
DMJ70H1D3SI3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 | запрос |
|
IRF630NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | запрос |
 |
IRF630NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog