русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IRF630NSTRLPBF
IRF630NSTRLPBF
IRF630NSTRLPBF
Тип продуктов:
IRF630NSTRLPBF
производитель:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Описание:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
17326 Pieces
Техническая спецификация:
IRF630NSTRLPBF.pdf
запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IRF630NSTRLPBF, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IRF630NSTRLPBF по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить IRF630NSTRLPBF с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:D2PAK
Серии:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 5.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):82W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия:IRF630NSTRLPBF-ND
IRF630NSTRLPBFTR
SP001564548
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:14 Weeks
Номер детали производителя:IRF630NSTRLPBF
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:575pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:35nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Расширенное описание:N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):200V
Описание:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:9.3A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IRF630NSTRLPBF

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
DMN3018SFGQ-7 Diodes Incorporated MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI запрос
IRF630NLPBF Image IRF630NLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 запрос
IRF630NSTRRPBF Image IRF630NSTRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK запрос
IPI80N04S306AKSA1 Image IPI80N04S306AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 запрос
IRF630NL Image IRF630NL Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 запрос
AUIRLL2705TR Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223 запрос
IRF630NSPBF Image IRF630NSPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK запрос
IRF630NSTRR Image IRF630NSTRR Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK запрос
IPB031NE7N3GATMA1 Image IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 запрос
IRF630NS Image IRF630NS Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK запрос
FQA44N08 Image FQA44N08 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P запрос
IRF630NPBF Image IRF630NPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB запрос
JAN2N6762 Microsemi Corporation MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 запрос

Latest Новости