купить IPD60R385CPBTMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPD60R385CPBTMA1
- Тип продуктов:
- IPD60R385CPBTMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 17839 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPD60R385CPBTMA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPD60R385CPBTMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPD60R385CPBTMA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 340µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO252-3 |
| Серии: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 385 mOhm @ 5.2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 83W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | IPD60R385CP IPD60R385CP-ND IPD60R385CPINTR IPD60R385CPINTR-ND IPD60R385CPXT SP000062533 SP000307381 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IPD60R385CPBTMA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 790pF @ 100V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 650V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 650V |
| Описание: | MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPD60R385CPBTMA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R385CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A TO-252 | запрос |
|
IPD60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 | запрос |
 |
IPD60R460CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | запрос |
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 | запрос |
|
IPD60R380E6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 | запрос |
 |
IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3 | запрос |
|
IPD60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V DPAK-3 | запрос |
|
IPD60R450E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252 | запрос |
|
IPD60R380E6ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 | запрос |
|
IPD60R380C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 | запрос |
|
IPD60R380P6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3TO252 | запрос |
|
IPD60R3K3C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog