купить IPD60R450E6ATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 280µA |
---|---|
Vgs (макс.): | ±20V |
Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO252-3 |
Серии: | CoolMOS™ E6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 450 mOhm @ 3.4A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс): | 74W (Tc) |
упаковка: | Tape & Reel (TR) |
Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Другие названия: | IPD60R450E6ATMA1-ND IPD60R450E6ATMA1TR SP001117720 |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки: | Surface Mount |
Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
Номер детали производителя: | IPD60R450E6ATMA1 |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 620pF @ 100V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
Тип FET: | N-Channel |
FET Характеристика: | - |
Расширенное описание: | N-Channel 600V 9.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS): | 600V |
Описание: | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 9.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |