купить IPD60R180C7ATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 260µA |
---|---|
Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO252-3 |
Серии: | CoolMOS™ C7 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 5.3A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс): | 68W (Tc) |
упаковка: | Tape & Reel (TR) |
Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Другие названия: | SP001277630 |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки: | Surface Mount |
Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления: | 20 Weeks |
Номер детали производителя: | IPD60R180C7ATMA1 |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1080pF @ 400V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
Тип FET: | N-Channel |
FET Характеристика: | - |
Расширенное описание: | N-Channel 600V 13A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Слить к источнику напряжения (VDSS): | 600V |
Описание: | MOSFET N-CH TO252-3 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 13A (Tc) |
Email: | [email protected] |