GP2M012A080NG
GP2M012A080NG
Тип продуктов:
GP2M012A080NG
производитель:
Global Power Technologies Group
Описание:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
14029 Pieces
Техническая спецификация:
GP2M012A080NG.pdf

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для GP2M012A080NG, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки GP2M012A080NG по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить GP2M012A080NG с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-3PN
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:650 mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):416W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-3P-3, SC-65-3
Другие названия:1560-1211-1
1560-1211-1-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Номер детали производителя:GP2M012A080NG
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:3370pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:79nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Расширенное описание:N-Channel 800V 12A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN
Слить к источнику напряжения (VDSS):800V
Описание:MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание