купить GP2M010A065H с BYCHPS
Купить с гарантией
GP2M010A065H
- Тип продуктов:
- GP2M010A065H
- производитель:
- Global Power Technologies Group
- Описание:
- MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 18923 Pieces
- Техническая спецификация:
- GP2M010A065H.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для GP2M010A065H, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки GP2M010A065H по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-220 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 820 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 198W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-3 |
| Другие названия: | 1560-1208-1 1560-1208-1-ND |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | GP2M010A065H |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1670pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 650V 9.5A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 650V |
| Описание: | MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для GP2M010A065H
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GP2M013A050F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 13A TO220F | запрос |
 |
GP2M010A060H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | запрос |
|
GP2M010A065F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F | запрос |
 |
GP2M005A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK | запрос |
|
GP2M010A060F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | запрос |
 |
GP2M012A080NG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN | запрос |
|
GP2M012A060F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 12A TO220F | запрос |
|
GP2M011A090NG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN | запрос |
|
GP2M012A060H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog