купить FDC3512_F095 с BYCHPS
Купить с гарантией
FDC3512_F095
- Тип продуктов:
- FDC3512_F095
- производитель:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Описание:
- MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 18639 Pieces
- Техническая спецификация:
- FDC3512_F095.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для FDC3512_F095, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки FDC3512_F095 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | SuperSOT™-6 |
| Серии: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 77 mOhm @ 3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 1.6W (Ta) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | FDC3512_F095 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 634pF @ 40V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 80V 3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 80V |
| Описание: | MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для FDC3512_F095
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS4C06NWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 71A U8FL | запрос |
 |
FDC3512 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6 | запрос |
 |
STB13N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK | запрос |
 |
CSD18534Q5AT | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | запрос |
 |
AO4485_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8SOIC | запрос |
 |
R6035KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | NCH 600V 35A POWER MOSFET | запрос |
 |
STP5N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220 | запрос |
 |
NVMFS4C03NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL | запрос |
|
CSD19531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | запрос |
|
FDS6064N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC | запрос |
 |
IRF1407S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | запрос |
 |
SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC | запрос |
|
FDC3535 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT | запрос |
 |
NTGS3447PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP | запрос |
 |
IRFR5505CPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | запрос |
 |
FDMC86106LZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33 | запрос |
 |
IXTQ36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P | запрос |
 |
STD3NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog