русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > BG3130E6327HTSA1
BG3130E6327HTSA1
BG3130E6327HTSA1
Тип продуктов:
BG3130E6327HTSA1
производитель:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Описание:
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
19274 Pieces
Техническая спецификация:
BG3130E6327HTSA1.pdf
запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для BG3130E6327HTSA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки BG3130E6327HTSA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить BG3130E6327HTSA1 с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Напряжение - испытания:5V
Напряжение - Номинальный:8V
Тип транзистор:2 N-Channel (Dual)
Поставщик Упаковка устройства:PG-SOT363-6
Серии:-
Выходная мощность:-
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Другие названия:BG 3130 E6327
BG 3130 E6327-ND
BG3130E6327XT
SP000013182
Коэффициент шума:1.3dB
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Номер детали производителя:BG3130E6327HTSA1
Усиление:24dB
частота:800MHz
Расширенное описание:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6
Описание:MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Текущий рейтинг:25mA
Ток - Тест:14mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для BG3130E6327HTSA1

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
MRF6P21190HR5 Image MRF6P21190HR5 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 запрос
BG3130H6327XTSA1 Image BG3130H6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 запрос
MRF6S19100MR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 запрос
BLF3G21-30,112 Image BLF3G21-30,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C запрос
BG3130RH6327XTSA1 Image BG3130RH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 запрос
MRFE6VP5150NR1 Image MRFE6VP5150NR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 запрос
MRF8P9040GNR1 Image MRF8P9040GNR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270 запрос
MRF19085LSR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S запрос
BG3130RE6327BTSA1 Image BG3130RE6327BTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 запрос
PD54003S-E Image PD54003S-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF запрос
BLF8G20LS-160VU Image BLF8G20LS-160VU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B запрос
MRFE6S9200HSR3 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-880S запрос
BLF6G27S-45,112 Image BLF6G27S-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B запрос
PD84006L-E Image PD84006L-E STMicroelectronics FET RF 25V 870MHZ запрос
BF1212,215 Image BF1212,215 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B запрос
BLF6G22L-40P,112 Image BLF6G22L-40P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121A запрос
MRF8P23080HR5 Image MRF8P23080HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4 запрос

Latest Новости