купить STW56N65DM2 с BYCHPS
Купить с гарантией
STW56N65DM2
- Тип продуктов:
- STW56N65DM2
- производитель:
- ST
- Описание:
- MOSFET N-CH 650V 48A
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 19998 Pieces
- Техническая спецификация:
- STW56N65DM2.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для STW56N65DM2, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки STW56N65DM2 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±25V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-247 |
| Серии: | MDmesh™ DM2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 24A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 360W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-247-3 |
| Другие названия: | 497-16337-5 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 24 Weeks |
| Номер детали производителя: | STW56N65DM2 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 4100pF @ 100V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 88nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 650V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 650V |
| Описание: | MOSFET N-CH 650V 48A |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 48A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для STW56N65DM2
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
STW56N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 50A | запрос |
 |
2SK2962(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | запрос |
|
STW56N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 52A TO247 | запрос |
 |
TK4P50D(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3 | запрос |
|
STW56N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 | запрос |
 |
FDD8796 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK | запрос |
 |
AON7528 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN | запрос |
|
STW56NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 45A TO-247 | запрос |
|
STW56N65M2-4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V I2PAKFP | запрос |
|
STW56N60M2-4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 | запрос |
 |
IRFZ24NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK | запрос |
 |
PHT6NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 | запрос |
 |
BSL207SPH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog