купить STB12NM50FDT4 с BYCHPS
Купить с гарантией
STB12NM50FDT4
- Тип продуктов:
- STB12NM50FDT4
- производитель:
- ST
- Описание:
- MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 16467 Pieces
- Техническая спецификация:
- STB12NM50FDT4.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для STB12NM50FDT4, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки STB12NM50FDT4 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | D2PAK |
| Серии: | FDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 160W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия: | 497-5380-2 STB12NM50FDT4-ND |
| Рабочая Температура: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | STB12NM50FDT4 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1000pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 500V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 500V |
| Описание: | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для STB12NM50FDT4
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
STB12NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | запрос |
 |
STB120N4LF6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | запрос |
 |
FDS4435A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC | запрос |
|
STB12NM50T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK | запрос |
 |
SUD19P06-60L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 19A TO252 | запрос |
|
STB12NM50ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | запрос |
|
STB12NK80ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK | запрос |
 |
STB12NM60N-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | запрос |
|
STB120NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK | запрос |
|
STB120N10F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V D2PAK | запрос |
|
STB12NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | запрос |
 |
IPP100N04S204AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | запрос |
 |
CSD16323Q3C | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | запрос |
 |
STB120N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog