купить SQM120N04-1M7L_GE3 с BYCHPS
Купить с гарантией
SQM120N04-1M7L_GE3
- Тип продуктов:
- SQM120N04-1M7L_GE3
- производитель:
- Vishay / Siliconix
- Описание:
- MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 15030 Pieces
- Техническая спецификация:
- SQM120N04-1M7L_GE3.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для SQM120N04-1M7L_GE3, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки SQM120N04-1M7L_GE3 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-263 |
| Серии: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 mOhm @ 30A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 375W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия: | SQM120N04-1M7L-GE3 SQM120N04-1M7L-GE3TR SQM120N04-1M7L-GE3TR-ND SQM120N04-1M7L_GE3TR |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 18 Weeks |
| Номер детали производителя: | SQM120N04-1M7L_GE3 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 14606pF @ 20V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 285nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 40V |
| Описание: | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для SQM120N04-1M7L_GE3
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | запрос |
|
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | запрос |
|
SQM120P06-07L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 | запрос |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | запрос |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | запрос |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | запрос |
|
SQM120P04-04L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog