купить SPP12N50C3HKSA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.9V @ 500µA |
---|---|
Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO220-3-1 |
Серии: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс): | 125W (Tc) |
упаковка: | Tube |
Упаковка /: | TO-220-3 |
Другие названия: | SP000014459 SPP12N50C3 SPP12N50C3IN SPP12N50C3IN-ND SPP12N50C3X SPP12N50C3XK SPP12N50C3XTIN SPP12N50C3XTIN-ND |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки: | Through Hole |
Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
Номер детали производителя: | SPP12N50C3HKSA1 |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
Тип FET: | N-Channel |
FET Характеристика: | - |
Расширенное описание: | N-Channel 560V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Слить к источнику напряжения (VDSS): | 560V |
Описание: | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 11.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |