купить SPP03N60C3HKSA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
SPP03N60C3HKSA1
- Тип продуктов:
- SPP03N60C3HKSA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 12867 Pieces
- Техническая спецификация:
- SPP03N60C3HKSA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для SPP03N60C3HKSA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки SPP03N60C3HKSA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.9V @ 135µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO220-3-1 |
| Серии: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 38W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-3 |
| Другие названия: | SP000013524 SPP03N60C3 SPP03N60C3IN SPP03N60C3IN-ND SPP03N60C3X SPP03N60C3X-ND SPP03N60C3XK |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | SPP03N60C3HKSA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 400pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 650V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 650V |
| Описание: | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 3.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для SPP03N60C3HKSA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | запрос |
 |
NTD4857NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK | запрос |
 |
HUFA76437S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK | запрос |
 |
FDP085N10A_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3 | запрос |
 |
NVMFS5C456NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | запрос |
 |
SPP03N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB | запрос |
 |
TK14C65W5,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK | запрос |
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | запрос |
 |
SI7788DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | запрос |
|
NTMFS4935NBT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL | запрос |
|
SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | запрос |
 |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | запрос |
 |
FQD3N60CTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog