русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SPI11N65C3XKSA1
SPI11N65C3XKSA1
SPI11N65C3XKSA1
Тип продуктов:
SPI11N65C3XKSA1
производитель:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Описание:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
14371 Pieces
Техническая спецификация:
SPI11N65C3XKSA1.pdf
запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для SPI11N65C3XKSA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки SPI11N65C3XKSA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить SPI11N65C3XKSA1 с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:3.9V @ 500µA
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PG-TO262-3-1
Серии:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):125W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия:SP000680994
SPI11N65C3
SPI11N65C3-ND
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3IN-ND
SPI11N65C3X
SPI11N65C3XK
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:8 Weeks
Номер детали производителя:SPI11N65C3XKSA1
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1200pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:60nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Расширенное описание:N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Слить к источнику напряжения (VDSS):650V
Описание:MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для SPI11N65C3XKSA1

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
SPI11N60S5BKSA1 Image SPI11N60S5BKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 запрос
2SK2989,F(J Image 2SK2989,F(J Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH запрос
IRLML6244TRPBF Image IRLML6244TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 запрос
SI1012R-T1-GE3 Image SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A запрос
SPI11N60C3XKSA1 Image SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 запрос
SPI11N60C3HKSA1 Image SPI11N60C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 запрос
IXTX1R4N450HV Image IXTX1R4N450HV IXYS 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR запрос
SPI11N65C3HKSA1 Image SPI11N65C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 запрос
SPI11N60CFDHKSA1 Image SPI11N60CFDHKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 запрос
IRFR4105ZTRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK запрос
SI2303CDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 запрос
SQ7414AEN-T1_GE3 Image SQ7414AEN-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8 запрос
STW3N170 Image STW3N170 STMicroelectronics N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2. запрос

Latest Новости