русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIS438DN-T1-GE3
SIS438DN-T1-GE3
SIS438DN-T1-GE3
Тип продуктов:
SIS438DN-T1-GE3
производитель:
Vishay / Siliconix
Описание:
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
17297 Pieces
Техническая спецификация:
SIS438DN-T1-GE3.pdf
запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для SIS438DN-T1-GE3, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки SIS438DN-T1-GE3 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить SIS438DN-T1-GE3 с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PowerPAK® 1212-8
Серии:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:PowerPAK® 1212-8
Другие названия:SIS438DN-T1-GE3-ND
SIS438DN-T1-GE3TR
SIS438DNT1GE3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Номер детали производителя:SIS438DN-T1-GE3
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:880pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:23nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Расширенное описание:N-Channel 20V 16A (Tc) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):20V
Описание:MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для SIS438DN-T1-GE3

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
SUD25N04-25-T4-E3 Image SUD25N04-25-T4-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 25A TO252 запрос
RSD150N06TL Image RSD150N06TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 15A CPT3 запрос
IRL1104 Image IRL1104 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB запрос
SI4896DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC запрос
PMV117EN,215 Image PMV117EN,215 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 запрос
R5009ANX Image R5009ANX Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 500V 9A TO220 запрос
IXTH1N100 Image IXTH1N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247 запрос
IXTP36N30P Image IXTP36N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 запрос
IPD50R950CE Image IPD50R950CE Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252 запрос
SIS436DN-T1-GE3 Image SIS436DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8 запрос
SIS434DN-T1-GE3 Image SIS434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 запрос
IRLS630A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220F запрос
ZXMN3A01FTC Image ZXMN3A01FTC Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 запрос
FCP190N60E Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V TO220-3 запрос
IXFX21N100F Image IXFX21N100F IXYS MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3 запрос
SIS430DN-T1-GE3 Image SIS430DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 запрос
SIHB15N50E-GE3 Image SIHB15N50E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263 запрос
SIS435DNT-T1-GE3 Image SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8 запрос
SIS439DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 запрос
IRF624STRR Image IRF624STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK запрос

Latest Новости