купить SIDC09D60E6 UNSAWN с BYCHPS
Купить с гарантией
SIDC09D60E6 UNSAWN
- Тип продуктов:
- SIDC09D60E6 UNSAWN
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Содержит несоответствие свинца / RoHS
- Доступное количество:
- 13072 Pieces
- Техническая спецификация:
- SIDC09D60E6 UNSAWN.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для SIDC09D60E6 UNSAWN, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки SIDC09D60E6 UNSAWN по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.7V @ 20A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 600V |
| Поставщик Упаковка устройства: | Sawn on foil |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | - |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 150ns |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | Die |
| Другие названия: | SIDC09D60E6UNSAWN SP000012547 |
| Рабочая температура - Соединение: | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | SIDC09D60E6 UNSAWN |
| Расширенное описание: | Diode Standard 600V 20A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| Диод Тип: | Standard |
| Описание: | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 27µA @ 600V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 20A (DC) |
| Емкостной @ В.Р., F: | - |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для SIDC09D60E6 UNSAWN
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC03D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER | запрос |
|
SIDC09D60E6Y | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | запрос |
|
SIDC09D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | запрос |
|
SIDC04D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER | запрос |
|
SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | запрос |
|
SIDC01D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER | запрос |
|
SIDC09D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | запрос |
|
SIDC03D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER | запрос |
|
SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | запрос |
|
SIDC03D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER | запрос |
|
SIDC03D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog