PTFA081501F V1 - Infineon Technologies - Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз PTFA081501F V1

PTFA081501F V1

Тип продуктов:: PTFA081501F V1

производитель:: International Rectifier (Infineon Technologies)

Описание:: IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2

Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:: Без свинца / Соответствует RoHS

Доступное количество:: 13710 Pieces

Техническая спецификация:: PTFA081501F V1.pdf

запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для PTFA081501F V1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки PTFA081501F V1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.

купить PTFA081501F V1 с BYCHPS

Купить с гарантией

Спецификация

Напряжение - испытания:	28V
Напряжение - Номинальный:	65V
Тип транзистор:	LDMOS
Поставщик Упаковка устройства:	H-31248-2
Серии:	GOLDMOS®
Выходная мощность:	150W
упаковка:	Tray
Упаковка /:	2-Flatpack, Fin Leads
Другие названия:	SP000082729
Коэффициент шума:	-
Уровень влажности (MSL):	3 (168 Hours)
Номер детали производителя:	PTFA081501F V1
Усиление:	18dB
частота:	900MHz
Расширенное описание:	RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 900MHz 18dB 150W H-31248-2
Описание:	IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2
Текущий рейтинг:	10µA
Ток - Тест:	950mA
Email:	[email protected]

Связанные части для PTFA081501F V1

Тип продуктов	Производители	Описание	Посмотреть
PTFA080551FV4R0XTMA1	Infineon Technologies	RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2	запрос
PTFA081501E1V4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-36248-2	запрос
PTFA081501E1V4XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-36248-2	запрос
PTFA081501E1V4T500XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-36248-2	запрос
PTFA081501E V1	Infineon Technologies	FET RF 65V 900MHZ H-30248-2	запрос
PTFA082201EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF 65V 894MHZ H-36260-2	запрос
PTFA082201F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2	запрос

Введение

Спецификация

Быстрый запрос Цитировать

Latest Новости