купить NTMSD2P102LR2 с BYCHPS
Купить с гарантией
NTMSD2P102LR2
- Тип продуктов:
- NTMSD2P102LR2
- производитель:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Описание:
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Содержит несоответствие свинца / RoHS
- Доступное количество:
- 17872 Pieces
- Техническая спецификация:
- NTMSD2P102LR2.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для NTMSD2P102LR2, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки NTMSD2P102LR2 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-SOIC |
| Серии: | FETKY™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 710mW (Ta) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Другие названия: | NTMSD2P102LR2OS |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | NTMSD2P102LR2 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 750pF @ 16V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | Schottky Diode (Isolated) |
| Расширенное описание: | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Описание: | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 2.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для NTMSD2P102LR2
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMSD3P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | запрос |
|
NTMSD2P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | запрос |
|
NTMSD2P102LR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | запрос |
|
NTMSD2P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | запрос |
|
NTMSD3P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | запрос |
|
NTMSD3P102R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | запрос |
|
NTMSD3P303R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | запрос |
|
NTMSD6N303R2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | запрос |
|
NTMSD6N303R2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog