русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > NE3517S03-T1C-A
NE3517S03-T1C-A
Тип продуктов:
NE3517S03-T1C-A
производитель:
CEL (California Eastern Laboratories)
Описание:
FET RF 4V 20GHZ S03
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
15656 Pieces
Техническая спецификация:
NE3517S03-T1C-A.pdf
запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для NE3517S03-T1C-A, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки NE3517S03-T1C-A по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить NE3517S03-T1C-A с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Напряжение - испытания:2V
Напряжение - Номинальный:4V
Тип транзистор:HFET
Поставщик Упаковка устройства:S03
Серии:-
Выходная мощность:-
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:4-SMD, Flat Leads
Коэффициент шума:0.7dB
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Номер детали производителя:NE3517S03-T1C-A
Усиление:13.5dB
частота:20GHz
Расширенное описание:RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 13.5dB S03
Описание:FET RF 4V 20GHZ S03
Текущий рейтинг:15mA
Ток - Тест:10mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для NE3517S03-T1C-A

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
NE3514S02-A Image NE3514S02-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02 запрос
GTVA261701FAV1R0XTMA1 Infineon Technologies GAN SIC запрос
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 запрос
NE3513M04-A Image NE3513M04-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD запрос
PTFB182503ELV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-33288-6 запрос
PTFB192503ELV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-33288-6 запрос
NE3511S02-A Image NE3511S02-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 запрос
NE3516S02-A Image NE3516S02-A CEL IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX запрос
NE3516S02-T1C-A Image NE3516S02-T1C-A CEL IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX запрос
NE3513M04-T2-A Image NE3513M04-T2-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD запрос
AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc. FET RF 40V 520MHZ TO270-2G запрос
NE3513M04-T2B-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD запрос
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL FET RF 4V 4GHZ M04 запрос
NE3510M04-T2-A Image NE3510M04-T2-A CEL FET RF 4V 4GHZ M04 запрос
NE3515S02-A Image NE3515S02-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 запрос
NE3512S02-A Image NE3512S02-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 запрос
NE3515S02-T1C-A Image NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 запрос
NE3511S02-T1C-A Image NE3511S02-T1C-A CEL IC AMP RF LNA 13.5DB S02 запрос
NE3515S02-T1D-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 запрос
NE3514S02-T1C-A Image NE3514S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 10DB S02 запрос

Latest Новости