купить JAN1N5419 с BYCHPS
Купить с гарантией
JAN1N5419
- Тип продуктов:
- JAN1N5419
- производитель:
- Microsemi
- Описание:
- DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Содержит несоответствие свинца / RoHS
- Доступное количество:
- 16023 Pieces
- Техническая спецификация:
- JAN1N5419.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для JAN1N5419, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки JAN1N5419 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 500V |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 250ns |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | B, Axial |
| Другие названия: | 1086-2092 1086-2092-MIL |
| Рабочая температура - Соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 8 Weeks |
| Номер детали производителя: | JAN1N5419 |
| Расширенное описание: | Diode Standard 500V 3A Through Hole |
| Диод Тип: | Standard |
| Описание: | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1µA @ 500V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F: | - |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для JAN1N5419
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5416US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5417 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5417US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | запрос |
|
JAN1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5418US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | запрос |
|
JAN1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | запрос |
|
JAN1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | запрос |
 |
JAN1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | запрос |
|
JAN1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog