купить IRFHM830TR2PBF с BYCHPS
Купить с гарантией
IRFHM830TR2PBF
- Тип продуктов:
- IRFHM830TR2PBF
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 13760 Pieces
- Техническая спецификация:
- IRFHM830TR2PBF.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IRFHM830TR2PBF, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IRFHM830TR2PBF по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.35V @ 50µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PQFN (3x3) |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| упаковка: | Original-Reel® |
| Упаковка /: | 8-VQFN Exposed Pad |
| Другие названия: | IRFHM830TR2PBFDKR |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IRFHM830TR2PBF |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 2155pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Описание: | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IRFHM830TR2PBF
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM830DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | запрос |
 |
IRFHM8337TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN | запрос |
|
IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | запрос |
|
IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | запрос |
 |
IRFHM8363TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN | запрос |
|
IRFHM830DTR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | запрос |
 |
IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN | запрос |
|
IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN | запрос |
|
IRFHM831TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A PQFN | запрос |
|
IRFHM831TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A PQFN | запрос |
|
IRFHM8342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN | запрос |
|
IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 25A PQFN | запрос |
|
IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog