купить IRF9Z24NSTRLPBF с BYCHPS
Купить с гарантией
IRF9Z24NSTRLPBF
- Тип продуктов:
- IRF9Z24NSTRLPBF
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 16996 Pieces
- Техническая спецификация:
- IRF9Z24NSTRLPBF.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IRF9Z24NSTRLPBF, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IRF9Z24NSTRLPBF по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | D2PAK |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 175 mOhm @ 7.2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия: | IRF9Z24NSTRLPBF-ND IRF9Z24NSTRLPBFTR SP001554552 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 14 Weeks |
| Номер детали производителя: | IRF9Z24NSTRLPBF |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | P-Channel 55V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 55V |
| Описание: | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IRF9Z24NSTRLPBF
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB | запрос |
 |
IRF9Z34NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | запрос |
|
IRF9Z24NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | запрос |
|
IRF9Z24NS | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | запрос |
|
IRF9Z24NSTRL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | запрос |
 |
IRF9Z24NL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 | запрос |
|
IRF9Z24NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 | запрос |
|
IRF9Z34NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | запрос |
|
IRF9Z24NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | запрос |
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog