купить IRF5210STRR с BYCHPS
Купить с гарантией
IRF5210STRR
- Тип продуктов:
- IRF5210STRR
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Содержит несоответствие свинца / RoHS
- Доступное количество:
- 16788 Pieces
- Техническая спецификация:
- IRF5210STRR.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IRF5210STRR, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IRF5210STRR по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | D2PAK |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 24A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IRF5210STRR |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 2700pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | P-Channel 100V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 100V |
| Описание: | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IRF5210STRR
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | запрос |
|
IRF5210SPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | запрос |
|
IRF5210STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | запрос |
 |
IRF5210PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB | запрос |
 |
IRF5210L | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 40A TO-262 | запрос |
|
IRF5210LPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 38A TO-262 | запрос |
|
IRF520NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | запрос |
|
IRF520N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB | запрос |
|
IRF520NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | запрос |
|
IRF520NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog