купить IPP65R190CFDAAKSA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPP65R190CFDAAKSA1
- Тип продуктов:
- IPP65R190CFDAAKSA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 650V TO-220-3
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 16145 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPP65R190CFDAAKSA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPP65R190CFDAAKSA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPP65R190CFDAAKSA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4.5V @ 700µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO-220-3 |
| Серии: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 151W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-3 |
| Другие названия: | SP000928266 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 16 Weeks |
| Номер детали производителя: | IPP65R190CFDAAKSA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 650V |
| Описание: | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 17.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPP65R190CFDAAKSA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | запрос |
|
IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | запрос |
|
IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | запрос |
|
IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | запрос |
|
IPP65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 | запрос |
|
IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | запрос |
|
IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3 | запрос |
|
IPP65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | запрос |
|
IPP65R150CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | запрос |
|
IPP65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | запрос |
|
IPP65R110CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | запрос |
|
IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO220 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog