купить IPP60R099C7XKSA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPP60R099C7XKSA1
- Тип продуктов:
- IPP60R099C7XKSA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 13867 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPP60R099C7XKSA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPP60R099C7XKSA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPP60R099C7XKSA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 490µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO220-3-1 |
| Серии: | CoolMOS™ C7 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 99 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 110W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-3 |
| Другие названия: | SP001298000 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 20 Weeks |
| Номер детали производителя: | IPP60R099C7XKSA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1819pF @ 400V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 600V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 600V |
| Описание: | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPP60R099C7XKSA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO-220 | запрос |
|
IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | запрос |
 |
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | запрос |
|
IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | запрос |
|
IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 | запрос |
|
IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | запрос |
|
IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | запрос |
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | запрос |
|
IPP60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | запрос |
|
IPP60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog