купить IPD65R380E6ATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 320µA |
---|---|
Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO252-3 |
Серии: | CoolMOS™ E6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 3.2A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс): | 83W (Tc) |
упаковка: | Tape & Reel (TR) |
Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Другие названия: | SP001117736 |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки: | Surface Mount |
Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
Номер детали производителя: | IPD65R380E6ATMA1 |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 710pF @ 100V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
Тип FET: | N-Channel |
FET Характеристика: | - |
Расширенное описание: | N-Channel 650V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Слить к источнику напряжения (VDSS): | 650V |
Описание: | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 10.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |