купить IPD60R600E6ATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPD60R600E6ATMA1
- Тип продуктов:
- IPD60R600E6ATMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 19065 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPD60R600E6ATMA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPD60R600E6ATMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPD60R600E6ATMA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-252 |
| Серии: | CoolMOS™ E6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 63W (Tc) |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | SP001117094 |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
| Номер детали производителя: | IPD60R600E6ATMA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 20.5nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 600V |
| Описание: | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPD60R600E6ATMA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | запрос |
 |
IPD60R600CPBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 | запрос |
|
IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 | запрос |
|
IPD60R600CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 | запрос |
|
IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | запрос |
|
IPD60R600E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | запрос |
|
IPD60R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | запрос |
|
IPD60R600P6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | запрос |
|
IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog