купить IPD50N06S409ATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPD50N06S409ATMA1
- Тип продуктов:
- IPD50N06S409ATMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 17769 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPD50N06S409ATMA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPD50N06S409ATMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPD50N06S409ATMA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 34µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO252-3 |
| Серии: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 71W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | IPD50N06S4-09 IPD50N06S4-09-ND SP000374321 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IPD50N06S409ATMA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 3785pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 60V |
| Описание: | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPD50N06S409ATMA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD50N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD50N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | запрос |
 |
IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | запрос |
|
IPD50N06S4L08ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD50N06S4L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11 | запрос |
|
IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | запрос |
|
IPD50N06S214ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD50N06S214ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD50N06S2L13ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | запрос |
|
IPD50N06S2L13ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog