купить IPD135N03LGXT с BYCHPS
Купить с гарантией
IPD135N03LGXT
- Тип продуктов:
- IPD135N03LGXT
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 15519 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPD135N03LGXT.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPD135N03LGXT, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPD135N03LGXT по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO252-3 |
| Серии: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 13.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 31W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | IPD135N03LG IPD135N03LGINTR IPD135N03LGINTR-ND |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IPD135N03LGXT |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1000pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 30V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Описание: | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPD135N03LGXT
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD135N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 45A | запрос |
 |
IRFR320TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK | запрос |
|
IPD135N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 | запрос |
 |
IPD135N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | LV POWER MOS | запрос |
 |
IXFR55N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247 | запрос |
|
IPD135N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | запрос |
 |
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC | запрос |
 |
AON6404A_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6 | запрос |
|
IPD13N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | запрос |
 |
DMTH4005SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog