купить IPD100N06S403ATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPD100N06S403ATMA1
- Тип продуктов:
- IPD100N06S403ATMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 13382 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPD100N06S403ATMA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPD100N06S403ATMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPD100N06S403ATMA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 90µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO252-3-11 |
| Серии: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 150W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | IPD100N06S4-03 IPD100N06S4-03-ND SP000415576 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IPD100N06S403ATMA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 10400pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 128nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 60V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 60V |
| Описание: | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPD100N06S403ATMA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL520LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262 | запрос |
 |
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313 | запрос |
 |
IPD100N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 | запрос |
 |
IPD100N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | запрос |
|
IPD105N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3 | запрос |
 |
ZVN3320ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | запрос |
|
IPD10N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | запрос |
|
IPD10N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | запрос |
|
IRFR3708TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | запрос |
|
IPD105N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog