купить IPB77N06S3-09 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPB77N06S3-09
- Тип продуктов:
- IPB77N06S3-09
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 17953 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPB77N06S3-09.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPB77N06S3-09, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPB77N06S3-09 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 55µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO263-3-2 |
| Серии: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.8 mOhm @ 39A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 107W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия: | IPB77N06S309XT SP000088715 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IPB77N06S3-09 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 5335pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 103nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 55V 77A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 55V |
| Описание: | MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 77A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPB77N06S3-09
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
ZVN0124ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | запрос |
 |
HUF75639S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | запрос |
 |
CSD25213W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | запрос |
 |
IXTP1R6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB | запрос |
 |
IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 | запрос |
 |
IRF8721GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | запрос |
 |
GKI04031 | Sanken | MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN | запрос |
 |
NVD5490NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17A DPAK | запрос |
|
ZVN2120A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | запрос |
|
IPB77N06S212ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 | запрос |
 |
IXTN79N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227 | запрос |
 |
ZVN4206GVTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 | запрос |
 |
SQ1470EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 | запрос |
 |
BUK7905-40AIE,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | запрос |
 |
NTB23N03R | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK | запрос |
|
IRF2807ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog