купить IPB65R095C7ATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 590µA |
---|---|
Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO263 |
Серии: | CoolMOS™ C7 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 95 mOhm @ 11.8A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс): | 128W (Tc) |
упаковка: | Tape & Reel (TR) |
Упаковка /: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Другие названия: | SP001080124 |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки: | Surface Mount |
Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления: | 20 Weeks |
Номер детали производителя: | IPB65R095C7ATMA1 |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 2140pF @ 400V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
Тип FET: | N-Channel |
FET Характеристика: | - |
Расширенное описание: | N-Channel 650V 24A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO263 |
Слить к источнику напряжения (VDSS): | 650V |
Описание: | MOSFET N-CH TO263-3 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 24A (Tc) |
Email: | [email protected] |