купить IPB60R099CPAATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPB60R099CPAATMA1
- Тип продуктов:
- IPB60R099CPAATMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 18165 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPB60R099CPAATMA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPB60R099CPAATMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPB60R099CPAATMA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1.2mA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO263-3-2 |
| Серии: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 18A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 255W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия: | IPB60R099CPA IPB60R099CPA-ND SP000315443 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 8 Weeks |
| Номер детали производителя: | IPB60R099CPAATMA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 2800pF @ 100V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 600V 31A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 600V |
| Описание: | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 31A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPB60R099CPAATMA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | запрос |
 |
IPB60R520CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263 | запрос |
|
IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | запрос |
|
IPB60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | запрос |
|
IPB60R125CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 25A TO263 | запрос |
|
IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | запрос |
|
IPB60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | запрос |
|
IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | запрос |
|
IPB60R099CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | запрос |
|
IPB60R165CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | запрос |
|
IPB60R380C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263 | запрос |
|
IPB60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 | запрос |
|
IPB60R280P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog