купить IPB180N04S302ATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPB180N04S302ATMA1
- Тип продуктов:
- IPB180N04S302ATMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 12158 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPB180N04S302ATMA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPB180N04S302ATMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPB180N04S302ATMA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 230µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO263-7-3 |
| Серии: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 mOhm @ 80A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 300W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Другие названия: | IPB180N04S3-02 IPB180N04S3-02-ND IPB180N04S3-02TR IPB180N04S3-02TR-ND IPB180N04S302 SP000254821 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IPB180N04S302ATMA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 14300pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 210nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 40V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 40V |
| Описание: | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPB180N04S302ATMA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB180N06S4H1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | запрос |
|
IPB180N06S4H1ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | запрос |
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | запрос |
|
IPB180N04S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | запрос |
|
IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | запрос |
|
IPB180N04S3-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | запрос |
|
IPB180N03S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 | запрос |
|
IPB180N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | запрос |
|
IPB180N04S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | запрос |
|
IPB180N03S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 | запрос |
|
IPB180N08S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog