купить IPB065N15N3GE8187ATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPB065N15N3GE8187ATMA1
- Тип продуктов:
- IPB065N15N3GE8187ATMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 14748 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPB065N15N3GE8187ATMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPB065N15N3GE8187ATMA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 270µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO263-7 |
| Серии: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 300W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Другие названия: | IPB065N15N3 G E8187 IPB065N15N3 G E8187-ND IPB065N15N3 G E8187TR-ND SP000939336 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 7300pF @ 75V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 93nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 150V |
| Описание: | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPB065N15N3GE8187ATMA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB065N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | запрос |
|
IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | запрос |
|
IPB06N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | запрос |
|
IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | запрос |
 |
IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | запрос |
 |
PMT760EN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V SC-73 | запрос |
|
IPB06N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | запрос |
|
IPB06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | запрос |
|
IPB067N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | запрос |
|
IPB06N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | запрос |
|
IPB06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | запрос |
|
IPB06CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog