купить IPAW60R180P7SXKSA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
IPAW60R180P7SXKSA1
- Тип продуктов:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 650V 18A TO220
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 19744 Pieces
- Техническая спецификация:
- IPAW60R180P7SXKSA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IPAW60R180P7SXKSA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IPAW60R180P7SXKSA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 280µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TO220 Full Pack |
| Серии: | CoolMOS™ P7 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 26W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-3 Full Pack |
| Другие названия: | SP001606072 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
| Номер детали производителя: | IPAW60R180P7SXKSA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1081pF @ 400V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 650V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 650V |
| Описание: | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IPAW60R180P7SXKSA1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 | запрос |
 |
IPAW60R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | запрос |
 |
IRFS4228PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | запрос |
 |
SI2309DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 | запрос |
 |
IRFR9020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK | запрос |
 |
MTP2P50E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 500V 2A TO-220AB | запрос |
|
IPAW60R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | запрос |
|
IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | запрос |
 |
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | запрос |
|
IPAW60R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | запрос |
|
IXTP32N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 32A TO-220 | запрос |
|
MMIX1T600N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 600A SMPD | запрос |
 |
EKI04027 | Sanken | MOSFET N-CH 40V 85A TO-220 | запрос |
|
IPB14N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog