IMD14T108 - Rohm Semiconductor - Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее IMD14T108

IMD14T108

Тип продуктов:: IMD14T108

производитель:: LAPIS Semiconductor

Описание:: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:: Без свинца / Соответствует RoHS

Доступное количество:: 13513 Pieces

Техническая спецификация:: IMD14T108.pdf

запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для IMD14T108, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки IMD14T108 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.

купить IMD14T108 с BYCHPS

Купить с гарантией

Спецификация

Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:	300mV @ 5mA, 100mA
Тип транзистор:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства:	SMT6
Серии:	-
Резистор - Излучатель Base (R2) (Ом):	10k
Резистор - Base (R1) (Ом):	220
Мощность - Макс:	300mW
упаковка:	Tape & Reel (TR)
Упаковка /:	SC-74, SOT-457
Другие названия:	IMD14T108-ND IMD14T108TR
Тип установки:	Surface Mount
Уровень влажности (MSL):	1 (Unlimited)
Номер детали производителя:	IMD14T108
Частота - Переход:	250MHz
Расширенное описание:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Описание:	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	82 @ 100mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):	500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс):	500mA
Email:	[email protected]

Связанные части для IMD14T108

Тип продуктов	Производители	Описание	Посмотреть
NSBC124XDXV6T1	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563	запрос
MUN5211DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	запрос
DMC561000R	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5	запрос
BCR119SE6327BTSA1	Infineon Technologies	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	запрос

Введение

Спецификация

Быстрый запрос Цитировать

Latest Новости