купить GP1M006A065PH с BYCHPS
Купить с гарантией
GP1M006A065PH
- Тип продуктов:
- GP1M006A065PH
- производитель:
- Global Power Technologies Group
- Описание:
- MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 13472 Pieces
- Техническая спецификация:
- GP1M006A065PH.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для GP1M006A065PH, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки GP1M006A065PH по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | I-Pak |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 120W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | GP1M006A065PH |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1177pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 650V 5.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 650V |
| Описание: | MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 5.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для GP1M006A065PH
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M006A065CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK | запрос |
 |
GP1M006A065FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F | запрос |
|
GP1M006A070FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 700V 5A TO220F | запрос |
 |
GP1M008A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 8A IPAK | запрос |
|
GP1M006A070F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 700V 5A TO220F | запрос |
|
GP1M006A065F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F | запрос |
|
GP1M005A050CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | запрос |
 |
GP1M005A050HS | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4A TO220 | запрос |
|
GP1M009A020HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 200V 9A TO220 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog