купить FQD10N20LTM с BYCHPS
Купить с гарантией
FQD10N20LTM
- Тип продуктов:
- FQD10N20LTM
- производитель:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Описание:
- MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 13053 Pieces
- Техническая спецификация:
- 1.FQD10N20LTM.pdf2.FQD10N20LTM.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для FQD10N20LTM, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки FQD10N20LTM по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-252, (D-Pak) |
| Серии: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | FQD10N20LTM-ND FQD10N20LTMTR |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 6 Weeks |
| Номер детали производителя: | FQD10N20LTM |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 830pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 17nC @ 5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 200V |
| Описание: | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 7.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для FQD10N20LTM
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD10N20CTM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | запрос |
|
FQD10N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | запрос |
|
FQD10N20CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | запрос |
|
FQD10N20CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | запрос |
|
FQD10N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | запрос |
|
FQD10N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | запрос |
 |
STL20NM20N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5 | запрос |
 |
IRFR48ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog