русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > ES6U2T2R
ES6U2T2R
ES6U2T2R
Тип продуктов:
ES6U2T2R
производитель:
LAPIS Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
18477 Pieces
Техническая спецификация:
ES6U2T2R.pdf
запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для ES6U2T2R, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки ES6U2T2R по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить ES6U2T2R с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (макс.):±10V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:6-WEMT
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс):700mW (Ta)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:SOT-563, SOT-666
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:10 Weeks
Номер детали производителя:ES6U2T2R
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:110pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:1.8nC @ 4.5V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:Schottky Diode (Isolated)
Расширенное описание:N-Channel 20V 1.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):20V
Описание:MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1.5A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для ES6U2T2R

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXTQ36N30P Image IXTQ36N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P запрос
SI4102DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC запрос
IRF7416QTRPBF Image IRF7416QTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC запрос
NP160N04TUJ-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 запрос
FQB12P20TM Image FQB12P20TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK запрос
IXTK60N50L2 Image IXTK60N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 60A TO-264 запрос
RCX450N20 Image RCX450N20 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 200V 45A TO220 запрос
TK16J60W,S1VQ Image TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N) запрос
NTMFS4923NET3G Image NTMFS4923NET3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL запрос
IRFR2905ZTRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A DPAK запрос
TPS1100PW Texas Instruments MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP запрос
IRF1010ZS Image IRF1010ZS Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK запрос
APT20M19JVR Image APT20M19JVR Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 запрос
NTMFS4833NST1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL запрос
IRFI710G Image IRFI710G Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP запрос
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE запрос
IXFY5N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 5A TO-252 запрос
IXTN102N65X2 Image IXTN102N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 запрос
IXFH40N85X Image IXFH40N85X IXYS MOSFET NCH 850V 40A TO247 запрос
IRL2505SPBF Image IRL2505SPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK запрос

Latest Новости