EMG9T2R - Rohm Semiconductor - Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее EMG9T2R

EMG9T2R

Тип продуктов:: EMG9T2R

производитель:: LAPIS Semiconductor

Описание:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:: Без свинца / Соответствует RoHS

Доступное количество:: 17609 Pieces

Техническая спецификация:: EMG9T2R.pdf

запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для EMG9T2R, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки EMG9T2R по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.

купить EMG9T2R с BYCHPS

Купить с гарантией

Спецификация

Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:	300mV @ 500µA, 10mA
Тип транзистор:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства:	EMT5
Серии:	-
Резистор - Излучатель Base (R2) (Ом):	10k
Резистор - Base (R1) (Ом):	10k
Мощность - Макс:	150mW
упаковка:	Cut Tape (CT)
Упаковка /:	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Другие названия:	EMG9T2RCT
Тип установки:	Surface Mount
Уровень влажности (MSL):	1 (Unlimited)
Номер детали производителя:	EMG9T2R
Частота - Переход:	250MHz
Расширенное описание:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Описание:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	30 @ 5mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):	500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс):	100mA
Email:	[email protected]

Связанные части для EMG9T2R

Тип продуктов	Производители	Описание	Посмотреть
BCR08PNE6327BTSA1	Infineon Technologies	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363	запрос
DMA264030R	Panasonic Electronic Components	TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6	запрос
NSBC114TPDXV6T1	ON Semiconductor	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	запрос

Введение

Спецификация

Быстрый запрос Цитировать

Latest Новости