купить DMN62D0LFD-7 с BYCHPS
Купить с гарантией
DMN62D0LFD-7
- Тип продуктов:
- DMN62D0LFD-7
- производитель:
- Diodes Incorporated
- Описание:
- MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 17405 Pieces
- Техническая спецификация:
- DMN62D0LFD-7.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для DMN62D0LFD-7, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки DMN62D0LFD-7 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | X1-DFN1212-3 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2 Ohm @ 100mA, 4V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 480mW (Ta) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 3-UDFN |
| Другие названия: | DMN62D0LFD-7DITR DMN62D0LFD-7TR DMN62D0LFD-7TR-ND |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 16 Weeks |
| Номер детали производителя: | DMN62D0LFD-7 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 31pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 500nC @ 4.5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 60V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3 |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 60V |
| Описание: | MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 310mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для DMN62D0LFD-7
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN62D0U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A | запрос |
 |
DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN | запрос |
 |
DMN62D0UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | запрос |
 |
DMN62D0UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 | запрос |
|
DMN62D0LFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3 | запрос |
|
DMN62D0U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A | запрос |
|
DMN62D0UT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | запрос |
 |
DMN62D0UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323 | запрос |
|
DMN62D1SFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN | запрос |
|
DMN62D0UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A | запрос |
|
DMN62D0UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | запрос |
 |
DMN62D0SFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog