купить CSD86330Q3D с BYCHPS
Купить с гарантией
CSD86330Q3D
- Тип продуктов:
- CSD86330Q3D
- производитель:
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Содержит совместимость с RoHS / RoHS
- Доступное количество:
- 13075 Pieces
- Техническая спецификация:
- CSD86330Q3D.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для CSD86330Q3D, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки CSD86330Q3D по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-LSON (5x6) |
| Серии: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.6 mOhm @ 14A, 8V |
| Мощность - Макс: | 6W |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-PowerLDFN |
| Другие названия: | 296-28216-2 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 25 Weeks |
| Номер детали производителя: | CSD86330Q3D |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 920pF @ 12.5V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 6.2nC @ 4.5V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate |
| Расширенное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (5x6) |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 25V |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для CSD86330Q3D
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
CSD86311W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | запрос |
 |
DMN33D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A | запрос |
 |
NTZD3155CT1H | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | запрос |
 |
NVMFD5873NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL | запрос |
 |
AON3613 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN | запрос |
 |
IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 | запрос |
|
CSD86350Q5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON | запрос |
 |
SI3529DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP | запрос |
 |
SI4947ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC | запрос |
|
CSD86360Q5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON | запрос |
 |
SI7212DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 | запрос |
 |
SIF902EDZ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK | запрос |
 |
HCT802 | TT Electronics/Optek Technology | MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD | запрос |
|
DMC1017UPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD | запрос |
|
SI4210DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | запрос |
 |
IRF7103Q | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | запрос |
 |
SI1035X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC-89 | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog