купить CSD23202W10 с BYCHPS
Купить с гарантией
CSD23202W10
- Тип продуктов:
- CSD23202W10
- производитель:
- Описание:
- MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 14679 Pieces
- Техническая спецификация:
- CSD23202W10.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для CSD23202W10, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки CSD23202W10 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | -6V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 4-DSBGA (1x1) |
| Серии: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 53 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 1W (Ta) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 4-UFBGA, DSBGA |
| Другие названия: | 296-40000-2 CSD23202W10-ND |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 14 Weeks |
| Номер детали производителя: | CSD23202W10 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 512pF @ 6V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 3.8nC @ 4.5V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 12V |
| Описание: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для CSD23202W10
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
CSD23285F5T | Texas Instruments | 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | запрос |
|
CSD23203WT | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | запрос |
|
CSD23202W10T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | запрос |
|
CSD23203W | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | запрос |
|
CSD23201W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | запрос |
|
CSD23280F3 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR | запрос |
|
CSD23285F5 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V | запрос |
|
CSD23382F4T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR | запрос |
|
CSD23280F3T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR | запрос |
|
CSD23381F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog