купить CJ3139KDW-G с BYCHPS
Купить с гарантией
CJ3139KDW-G
- Тип продуктов:
- CJ3139KDW-G
- производитель:
- Comchip Technology
- Описание:
- MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 15429 Pieces
- Техническая спецификация:
- CJ3139KDW-G.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для CJ3139KDW-G, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки CJ3139KDW-G по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Поставщик Упаковка устройства: | SOT-363 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 520 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Мощность - Макс: | 150mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Другие названия: | 641-1793-2 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 10 Weeks |
| Номер детали производителя: | CJ3139KDW-G |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 170pF @ 16V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | - |
| Тип FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Характеристика: | Standard |
| Расширенное описание: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 660mA (Ta) 150mW Surface Mount SOT-363 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Описание: | MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 660mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для CJ3139KDW-G
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
NTHD4102PT3G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET | запрос |
 |
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | запрос |
 |
NTJD1155LT1 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 | запрос |
 |
HP8K22TB | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET | запрос |
 |
SI5975DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET | запрос |
 |
FDG6318P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6 | запрос |
 |
AUIRF7343Q | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC | запрос |
 |
IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | запрос |
 |
BSL215CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | запрос |
 |
SLA5060 | Sanken | MOSFET 3N/3P-CH 60V 6A 12-SIP | запрос |
 |
FMP76-010T | IXYS | MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC | запрос |
 |
IRF6723M2DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | запрос |
|
BSO150N03MD G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO | запрос |
|
IRF7319PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | запрос |
 |
DMN6066SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO | запрос |
|
SP8K24FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC | запрос |
|
IRF7104PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog