купить CE3512K2-C1 с BYCHPS
Купить с гарантией
CE3512K2-C1
- Тип продуктов:
- CE3512K2-C1
- производитель:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Описание:
- RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 15350 Pieces
- Техническая спецификация:
- CE3512K2-C1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для CE3512K2-C1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки CE3512K2-C1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Напряжение - испытания: | 2V |
|---|---|
| Напряжение - Номинальный: | 4V |
| Тип транзистор: | pHEMT FET |
| Поставщик Упаковка устройства: | 4-Micro-X |
| Серии: | - |
| Выходная мощность: | 125mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 4-Micro-X |
| Другие названия: | CE3512K2-C1TR |
| Коэффициент шума: | 0.5dB |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 10 Weeks |
| Номер детали производителя: | CE3512K2-C1 |
| Усиление: | 13.7dB |
| частота: | 12GHz |
| Расширенное описание: | RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X |
| Описание: | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX |
| Текущий рейтинг: | 15mA |
| Ток - Тест: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для CE3512K2-C1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
CGH80030D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | запрос |
 |
NE651R479A-A | CEL | FET RF 8V 1.9GHZ 79A | запрос |
 |
BF998,215 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B | запрос |
 |
CE3512K2 | CEL | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX | запрос |
 |
IXZR08N120A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | запрос |
 |
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | запрос |
 |
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | запрос |
 |
CE3514M4-C2 | CEL | RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT343 | запрос |
 |
MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | запрос |
 |
MRF8HP21130HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 | запрос |
|
CE3514M4 | CEL | RF FET 4V 12GHZ SOT343 | запрос |
 |
MRF275L | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 333-04 | запрос |
 |
BLF8G10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | запрос |
|
A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANS CELL | запрос |
|
MRF281ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z | запрос |
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog