русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > BSZ100N03MSGATMA1
BSZ100N03MSGATMA1
BSZ100N03MSGATMA1
Тип продуктов:
BSZ100N03MSGATMA1
производитель:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Описание:
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
13997 Pieces
Техническая спецификация:
BSZ100N03MSGATMA1.pdf
запрос

Введение

BYCHIPS является дистрибьютором чулок для BSZ100N03MSGATMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки BSZ100N03MSGATMA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
купить BSZ100N03MSGATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией

Спецификация

Vgs (й) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PG-TSDSON-8
Серии:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.1 mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):2.1W (Ta), 30W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:8-PowerTDFN
Другие названия:BSZ100N03MS G
BSZ100N03MSG
SP000311510
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:12 Weeks
Номер детали производителя:BSZ100N03MSGATMA1
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1700pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:23nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Расширенное описание:N-Channel 30V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):30V
Описание:MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:10A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для BSZ100N03MSGATMA1

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
BUK9612-55B,118 Image BUK9612-55B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK запрос
BSZ100N06NSATMA1 Image BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON запрос
FQD1N50TF Image FQD1N50TF Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK запрос
BSZ100N06LS3 G Image BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 запрос
BSZ100N03LSGATMA1 Image BSZ100N03LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 запрос
IPB60R280C6 Image IPB60R280C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 запрос
BSZ105N04NS G Image BSZ105N04NS G Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 запрос
IRL3716STRRPBF Image IRL3716STRRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK запрос
STH270N8F7-6 Image STH270N8F7-6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 запрос
IXFH102N15T Image IXFH102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 запрос
SPB80N08S2L-07 Image SPB80N08S2L-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK запрос
IRF7467 Image IRF7467 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC запрос
FDP8441_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB запрос

Latest Новости