купить BSC123N08NS3GATMA1 с BYCHPS
Купить с гарантией
BSC123N08NS3GATMA1
- Тип продуктов:
- BSC123N08NS3GATMA1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
- Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Доступное количество:
- 12614 Pieces
- Техническая спецификация:
- BSC123N08NS3GATMA1.pdf
Введение
BYCHIPS является дистрибьютором чулок для BSC123N08NS3GATMA1, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительного времени. Отправьте нам свой план покупки BSC123N08NS3GATMA1 по электронной почте, мы предоставим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Спецификация
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.5V @ 33µA |
|---|---|
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PG-TDSON-8 |
| Серии: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12.3 mOhm @ 33A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 2.5W (Ta), 66W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-PowerTDFN |
| Другие названия: | BSC123N08NS3 G BSC123N08NS3 G-ND BSC123N08NS3 GTR BSC123N08NS3 GTR-ND BSC123N08NS3G SP000443916 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 16 Weeks |
| Номер детали производителя: | BSC123N08NS3GATMA1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1870pF @ 40V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Расширенное описание: | N-Channel 80V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 80V |
| Описание: | MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 11A (Ta), 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для BSC123N08NS3GATMA1
Latest Новости
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog